長江日報 2018-04-27 13:11:57
武漢光電國家研究中心研發(fā)團(tuán)隊正在全力研發(fā)“下一代存儲芯片”。研發(fā)負(fù)責(zé)人稱,“我們正在攻關(guān)的是基于相變存儲器的3D XPOINT存儲器技術(shù),預(yù)計明年能在實(shí)驗室研發(fā)成功。到時候,芯片的讀寫速度會比現(xiàn)在快1000倍,可靠性提高1000倍,一旦產(chǎn)業(yè)化成功,將顛覆產(chǎn)業(yè)格局。目前,英特爾等產(chǎn)業(yè)巨頭也在研究這一方向。”負(fù)責(zé)人還表示,當(dāng)前我國95%的存儲器芯片依靠進(jìn)口。(長江日報)
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