每經(jīng)AI快訊，有投資者在投資者互動(dòng)平臺(tái)提問(wèn)：貴司碳化硅SiC溝槽柵MOSFET關(guān)鍵的溝槽結(jié)構(gòu)技術(shù)、溝槽刻蝕技術(shù)和溝槽柵氧技術(shù)的研究進(jìn)展如何？對(duì)未來(lái)新型溝槽技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行展望。 以株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司為代表，開(kāi)發(fā)了周期性柵氧電場(chǎng)屏蔽技術(shù)，在三維方向形成對(duì)柵氧化層直接與間接的屏蔽[106]，實(shí)現(xiàn)了3.0 mΩ⋅cm2的比導(dǎo)通電阻、1 400 V的阻斷電壓芯片樣品的制備，未來(lái)該產(chǎn)品前景展望一下。

時(shí)代電氣（688187.SH）12月4日在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，我們當(dāng)前量產(chǎn)產(chǎn)品的技術(shù)還是基于平面柵技術(shù)的發(fā)展和升級(jí)，已達(dá)到當(dāng)前市場(chǎng)主流水平。

(記者 畢陸名)

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