每經(jīng)AI快訊，中信證券研報(bào)認(rèn)為，在AI大模型時(shí)代云端、終端算力雙重爆發(fā)的帶動(dòng)下，存儲(chǔ)行業(yè)將從漲價(jià)修復(fù)周期轉(zhuǎn)向技術(shù)成長共振的新周期。云端角度，HBM高帶寬特性能夠滿足AI算力芯片高速傳輸需求，與AI算力規(guī)模快速擴(kuò)容相輔相成，帶動(dòng)TSV、2.5D封裝(CoWoS)需求；此外企業(yè)級內(nèi)存條和SSD需求亦同步攀升。終端角度，端側(cè)大模型落地帶動(dòng)SoC算力提升，內(nèi)存作為算力的核心配套，對其規(guī)格、容量均提出更高的要求。對于新型存儲(chǔ)HBM，我們建議關(guān)注布局先進(jìn)封裝的封測廠商、半導(dǎo)體設(shè)備廠商；對于傳統(tǒng)存儲(chǔ)DRAM/NAND Flash，我們建議關(guān)注受益DDR5滲透的內(nèi)存配套芯片廠商，以及布局企業(yè)級內(nèi)存模組的頭部模組廠商。