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芯聯(lián)集成擬收購(gòu)芯聯(lián)越州72.33%股權(quán) 稱將集中資源支持碳化硅業(yè)務(wù)發(fā)展

每日經(jīng)濟(jì)新聞 2024-06-21 23:01:22

◎從芯聯(lián)越州2023年財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)看,上市公司收購(gòu)少數(shù)股東權(quán)益,若標(biāo)的公司未來(lái)歸母凈利潤(rùn)無(wú)法扭虧為盈,或?qū)⑼侠凵鲜泄緲I(yè)績(jī)表現(xiàn)。但從產(chǎn)業(yè)角度,芯聯(lián)越州不僅是上市公司碳化硅特別是8英寸碳化硅產(chǎn)線的主要載體,也是上市公司“第三曲線”模擬IC的重要載體。

每經(jīng)記者 朱成祥    每經(jīng)編輯 陳俊杰    

6月21日晚間,國(guó)內(nèi)特色工藝晶圓代工頭部企業(yè)芯聯(lián)集成(688469.SH,股價(jià)3.96元,市值279億元)披露公告,擬收購(gòu)芯聯(lián)越州集成電路制造(紹興)有限公司(以下簡(jiǎn)稱芯聯(lián)越州)72.33%股權(quán)。

此次交易完成后,芯聯(lián)越州將成為芯聯(lián)集成全資子公司。

芯聯(lián)集成表示,本次交易系上市公司收購(gòu)控股子公司少數(shù)股權(quán),標(biāo)的公司是上市公司功率器件領(lǐng)域晶圓代工的重要實(shí)施主體,并擁有前瞻性戰(zhàn)略布局的碳化硅等業(yè)務(wù)。通過(guò)本次交易,上市公司可集中優(yōu)勢(shì)資源重點(diǎn)支持碳化硅等新興業(yè)務(wù)發(fā)展,推動(dòng)公司產(chǎn)業(yè)垂直整合,實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈布局。

標(biāo)的2023年已規(guī)模量產(chǎn)

據(jù)悉,芯聯(lián)集成擬通過(guò)發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式向?yàn)I海芯興、遠(yuǎn)致一號(hào)等15名交易對(duì)方購(gòu)買其合計(jì)持有的芯聯(lián)越州72.33%股權(quán)。截至預(yù)案簽署日,芯聯(lián)越州的審計(jì)和評(píng)估工作尚未完成,交易的最終交易價(jià)格、股份支付及現(xiàn)金支付比例尚未確定。

芯聯(lián)越州是上市公司“二期晶圓制造項(xiàng)目”的實(shí)施主體,主要從事功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的晶圓代工業(yè)務(wù),產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于車載電子、工業(yè)控制和消費(fèi)電子等行業(yè),并能夠符合車規(guī)級(jí)要求。

2022年,芯聯(lián)越州營(yíng)收1.37億元,歸母凈利潤(rùn)為-7.00億元;2023年,芯聯(lián)越州營(yíng)收增至15.60億元,歸母凈利潤(rùn)為-11.16億元??梢钥闯觯韭?lián)越州營(yíng)收大幅增長(zhǎng),不過(guò)虧損也在擴(kuò)大。

對(duì)此,芯聯(lián)集成認(rèn)為,芯聯(lián)越州于2021年底成立,作為上市公司二期晶圓制造項(xiàng)目的實(shí)施主體,擁有高端車規(guī)級(jí)硅基IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)產(chǎn)線。標(biāo)的公司于2022年初步形成量產(chǎn)能力,2023年開(kāi)始進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn),量產(chǎn)當(dāng)年已實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入15.60億元。但由于產(chǎn)線投資規(guī)模較大,量產(chǎn)初期設(shè)備折舊金額較大,且產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及產(chǎn)能利用率尚未達(dá)到最佳狀態(tài),導(dǎo)致產(chǎn)線運(yùn)轉(zhuǎn)的固定成本較高,加之為快速形成量產(chǎn)能力并保持技術(shù)領(lǐng)先,標(biāo)的公司2022年、2023 年持續(xù)進(jìn)行大額研發(fā)投入,因此2023年仍呈現(xiàn)虧損。

晶圓代工屬于重資產(chǎn)行業(yè),因此固定資產(chǎn)折舊對(duì)企業(yè)凈利潤(rùn)影響極大。若不考慮折舊、攤銷,芯聯(lián)越州經(jīng)營(yíng)狀況已有改善。2023年,芯聯(lián)越州息稅折舊攤銷前利潤(rùn)為2.79億元,而上年為-3.93億元。

根據(jù)芯聯(lián)集成2023年年報(bào),上市公司機(jī)器設(shè)備折舊年限為5至10年,折舊方法為年限平均法,這意味著年折舊率為10%至20%。

芯聯(lián)越州是8英寸碳化硅產(chǎn)線載體

從芯聯(lián)越州2023年財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)看,上市公司收購(gòu)少數(shù)股東權(quán)益,若標(biāo)的公司未來(lái)歸母凈利潤(rùn)無(wú)法扭虧為盈,或?qū)⑼侠凵鲜泄緲I(yè)績(jī)表現(xiàn)。

但從產(chǎn)業(yè)角度,芯聯(lián)越州不僅是上市公司碳化硅特別是8英寸碳化硅產(chǎn)線的主要載體,也是上市公司“第三曲線”模擬IC的重要載體。

2023年,芯聯(lián)越州6英寸SiC MOSFET出貨量已達(dá)國(guó)內(nèi)第一。2024年4月,芯聯(lián)越州8英寸SiC MOSFET工程批順利下線,預(yù)計(jì)于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),有望成為國(guó)內(nèi)首家規(guī)模量產(chǎn)8英寸 SiC MOSFET的企業(yè)。

作為第三代半導(dǎo)體材料,碳化硅具有優(yōu)于硅基半導(dǎo)體的低阻值,能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)“高耐壓”“低導(dǎo)通電阻”和“高速”。隨著近年來(lái)新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等市場(chǎng)快速發(fā)展,SiC MOSFET 及其模組需求持續(xù)高速增長(zhǎng)。

芯聯(lián)越州是國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)SiC MOSFET功率器件產(chǎn)業(yè)化的企業(yè),其技術(shù)性能不僅在國(guó)內(nèi)位居前沿,更與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌,產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車的主驅(qū)逆變器、車載OBC(車載充電機(jī))模塊等。

SiC MOSFET方面,芯聯(lián)越州2023年國(guó)內(nèi)出貨量第一,并在持續(xù)擴(kuò)大量產(chǎn)規(guī)模中,截至2023年末已達(dá)到5千片/月出貨,2024年預(yù)計(jì)將達(dá)到10千片/月產(chǎn)能,已成為亞洲SiC MOSFET出貨量居前的制造基地,并幫助上市公司獲得理想、蔚來(lái)等多家頭部新能源車企的長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議。

目前,芯聯(lián)集成主要從事功率器件。未來(lái),其有意進(jìn)入模擬IC領(lǐng)域。據(jù)了解,芯聯(lián)越州具備目前國(guó)產(chǎn)化率較低的高壓功率驅(qū)動(dòng)(高壓模擬IC)生產(chǎn)能力,可為汽車、新能源、高端工控等應(yīng)用提供完整的高壓、大電流與高密度技術(shù)的模擬和電源方案,實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。

當(dāng)下,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要集中在面向消費(fèi)類和工業(yè)級(jí)應(yīng)用的低壓BCD(一種單片集成工藝技術(shù)),中高壓領(lǐng)域較少實(shí)現(xiàn)突破,芯聯(lián)越州上述平臺(tái)目前國(guó)內(nèi)較為稀缺。

封面圖片來(lái)源:視覺(jué)中國(guó)-VCG41N1142905559

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