11月14日，半導(dǎo)體低開，截至9:34，半導(dǎo)體材料ETF（562590）跌0.15%，盤中高溢價(jià)交易，持倉(cāng)股漲跌不一，有研新材再度漲停，文一科技、長(zhǎng)川科技領(lǐng)跌，跌超2%。

值得注意的是，半導(dǎo)體材料ETF（562590）連續(xù)4日獲資金增倉(cāng)，累計(jì)吸金1.9億元，截至11月13日，半導(dǎo)體材料ETF（562590）規(guī)模首次達(dá)到4億元，為上市以來(lái)歷史新高，反映投資者對(duì)半導(dǎo)體上游板塊信心。

近期受國(guó)際形勢(shì)影響， 自主可控繼續(xù)成為板塊主旋律。展望后市，國(guó)投證券表示，復(fù)蘇和先進(jìn)工藝突破繼續(xù)作用為下游資本開支的兩大主線，或可持續(xù)關(guān)注下游先進(jìn)工藝良率提升和低 國(guó)產(chǎn)化率設(shè)備突破。

半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇態(tài)勢(shì)向好，投資者不妨關(guān)注半導(dǎo)體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356、C類：020357），產(chǎn)品緊密跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備指數(shù)，指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（53.7%）、半導(dǎo)體材料（22.9%）占比靠前，合計(jì)權(quán)重超76%，充分聚焦指數(shù)主題，均為國(guó)產(chǎn)替代關(guān)鍵環(huán)節(jié)。